iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS(互补金属氧化物半导体)与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同,iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度,对于低失真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决方案。iCMOS结构可确保功耗极低,因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。
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